Memory
NAND FLASH
AI(인공지능)의 사용이 확대됨에 따라 데이터센터와 AI 서버에서 차세대 메모리 제품에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 차세대 메모리 제품은 고용량, 고속 연산, 고성능, 저전력 소비를 특징으로 합니다.
FLASH 메모리는 전원의 on/off 와 관계없이 데이터를 보존할 수 있으며 USB, SD카드, SSD 등에 적용됩니다.
3D 낸드의 단수는 현재의 200~300단 수준에서 향후 수년 내에 500~600단의 제품이 개발될 것으로 보이며 이에 따라 3D NAND도 D램과 마찬가지로 하이브리드 본딩 기술이 적용 및 확대될 것으로 예상됩니다. 이에 따른 Cell current, 신규 장비 공정 개발, Stress/Warpage 보상 공정, 무결점 하이브리드 본딩 기술, XY 셀 미세화 등의 도전 과제가 있습니다.
KI는 NAND Flash 칩의 집적화와 더 빠른 속도를 위한 개발 추세에 따라 더욱 증가하는 칩의 I/O에 대응하기 위하여 세계 최고 칩메이커와 개발을 함께 하고 있습니다.
DRAM & HBM
AI 도입이 가속화됨에 따라 데이터센터와 AI 서버의 차세대 메모리 제품에 대한 수요는 계속 증가하고 있습니다. 이러한 고급 메모리 솔루션은 더 높은 용량, 더 빠른 연산 성능, 향상된 효율성, 더 낮은 전력 소비를 필요로 합니다.
고대역폭 메모리(HBM)는 여러 개의 DRAM 칩을 수직으로 쌓고 실리콘 관통전극(TSV)을 통해 상호 연결하여 데이터 처리 대역폭을 획기적으로 증가시키는 핵심 기술입니다. 기존에는 DRAM 다이 사이에 미세한 마이크로 범프를 삽입하는 열압축(TC) 본딩 방식으로 HBM을 제조해 왔습니다. 그러나 적층 레이어 수가 16개 또는 20개로 확장됨에 따라 이 TC 기반 접근 방식은 점점 더 많은 기술적 제약에 직면하고 있습니다. 제한된 HBM 패키지 높이(최대 775µm) 내에서 각 DRAM 다이를 얇게 만들거나 다이 간 간격을 줄이면 약간의 완화 효과만 얻을 수 있습니다.
이러한 한계를 극복하기 위해 DRAM 제조업체는 칩 또는 웨이퍼 사이에 구리 대 구리를 직접 연결하는 하이브리드 본딩 기술을 개발해 왔습니다. 하이브리드 본딩은 마이크로 범프를 제거함으로써 HBM 패키지 두께를 크게 줄이는 동시에 차세대 AI 워크로드에 필수적인 더 높은 I/O 밀도와 더 나은 열 방출을 구현할 수 있습니다.
KI는 이러한 기술 트렌드에 발맞춰 초기 개발 단계부터 고객과 적극적으로 협력하여 하이브리드 본딩 기반 HBM 솔루션으로의 빠른 전환을 지원하고 있습니다.
